第一周

1.1 半导体器件发展史

1.2 硅的晶体结构

1.3 能级与能带

1.4 半导体导电性质

1.5 半导体中载流子的统计分布

1.6 载流子迁移率及爱因斯坦关系式

1.7 非平衡载流子

第二周

2.1 PN结及其特性

2.2 器件仿真入门

2.3 PN结仿真分析与设计

第三周

3.1 双极型晶体管的正向直流特性

3.2 双极型晶体管的反向特性及直流效应

第四周

4.1 双极型晶体管的频率特性

第五周

4.2 双极型晶体管的高频等效电路

4.3 双极型晶体管的高频功率特性

4.4 双极型晶体管直流特性的仿真与设计

第六周

5.1 半导体表面特性

5.2 MOS结构的C-V特性

5.3 MOS结构的阈值电压

第七周

6.1 MOS场效应晶体管的基本特性

6.2 MOS场效应晶体管的特性曲线

6.3 MOS场效应晶体管的电流-电压特性

6.4 MOS场效应晶体管的二级效应

6.5 MOS场效应晶体管的增量参数

第八周

6.6 MOS场效应晶体管的频率特性

6.7 MOS场效应晶体管的直流特性仿真与设计

第九周

6.8 MOS场效应晶体管频率特性的仿真与设计

6.9 MOS场效应晶体管的开关特性

6.10 CMOS倒相器开关特性的仿真与分析

第十周

7.1 小尺寸MOS器件的特性