第一章 半导体材料概论

1.1 半导体材料的研究和应用（上）

1.2 半导体材料的研究和应用（下）

1.3 半导体材料的分类

1.4 半导体材料电学特征

1.5 半导体材料结构特性

1.6 中国半导体材料产业

1.7半导体材料展望

第一章 测验

第二章 晶体生长原理

2.1 半导体晶体材料

2.2 晶体生长的热力学理论（上）

2.3 晶体生长的热力学理论（中）

2.4 晶体生长的热力学理论（下）

2.5 晶体生长的动力学理论

2.6 晶体的外形

第二章 测验

第三章 晶体生长技术

3.1 熔体生长晶体技术（一）

3.2 熔体生长晶体技术（二）

3.3 溶液生长晶体技术

3.4 气相生长晶体技术

3.5 固相生长晶体技术

第三章 测验

第四章 元素半导体硅的基本性质

4.1 硅的基本性质

4.2 硅的结构性质

4.3 硅的电学性质

4.4 硅的化学性质

4.5 硅的光学性质

4.6 硅的其他性质

4.7 硅的常见形式

第四章 测验

第五章 元素半导体硅和锗的化学提纯

5.1 金属硅的制备

5.2 半导体级高纯多晶硅的制备（上）

5.3 半导体级高纯多晶硅的制备（中）

5.4 半导体级高纯多晶锗的制备（下）

5.5 太阳能级多晶硅的物理冶金制备

5.6 半导体级高纯多晶锗的制备

第五章 测验

第六章 区熔原理和区熔硅

6.1 分凝（上）

6.2 分凝（中）

6.3 分凝（下）

6.4 区熔的原理

6.5 区熔硅单晶（上）

6.6 区熔硅单晶（下）

第六章 测验

第七章 直拉提纯和直拉硅单晶

7.3 直拉硅单晶生长的基本工艺（中）

7.4 直拉硅单晶生长的基本工艺（下）

7.5 单晶生长的主要影响因素

7.6 新型直拉硅单晶生长工艺

7.7 直拉硅单晶的加工（上）

7.8 直拉硅单晶的加工（下）

7.1 直拉硅单晶

7.2 直拉硅单晶生长的基本工艺（上）

第七章 测验

第八章 硅单晶的掺杂和缺陷

8.1 直拉硅单晶的掺杂技术（上）

8.2 直拉硅单晶的掺杂技术（下）

8.3 直拉硅单晶的掺杂浓度

8.4 直拉硅单晶的轻元素杂质

8.5 直拉硅中金属杂质

8.6 直拉硅单晶的缺陷

第八章 测验

第九章 硅薄膜材料

9.1 单晶硅薄膜材料（上）

9.2 单晶硅薄膜材料（下）

9.3 绝缘体上的单晶硅薄膜

9.4 非晶硅薄膜材料（上）

9.5 非晶硅薄膜材料（下）

9.6 多晶硅薄膜

第九章 测验

第十章 III-V族化合物半导体

10.1 III-V族化合物半导体的性质

10.2 GaAs半导体材料（上）

10.3 GaAs半导体材料（中）

10.4 GaAs半导体材料（下）

10.5 其他III-V族化合物半导体

第十章 测验

第十一章 新型半导体材料GaN

11.1 GaN的基本性质（上）

11.2 GaN的基本性质（下）

11.3 GaN的晶体结构和能带

11.4 GaN单晶的制备

11.5 GaN薄膜单晶的制备

11.6 GaN薄膜单晶的掺杂

第十一章 测验

第十二章 II-VI族化合物半导体

12.1 II-VI族化合物半导体的性质

12.2 II-VI族化合物半导体的制备

12.3 CdTe半导体材料

12.4 II-VI族多元化合物材料

第十二章 测验

第十三章 新型半导体材料ZnO

13.1 ZnO的基本性质

13.2 ZnO的晶体结构、能带及体单晶制备

13.3 ZnO薄膜单晶的制备

13.4 ZnO单晶的掺杂

第十三章 测验

第十四章 新型半导体材料SiC

14.1 SiC的基本性质（上）

14.2 SiC的基本性质（下）

14.3 SiC的晶体结构和能带

14.4 SiC体单晶的制备

14.5 SiC薄膜单晶的制备

14.6 SiC单晶的掺杂

第十四章 测验

第十五章 浙江大学硅材料研究

浙江大学硅材料研究