本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识，重点阐述了芯片制造单项工艺，包括：外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备，以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解，为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。

本课程特色在于：对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述，并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。

为积极响应国家低碳环保政策， 2021年秋季学期开始，中国大学MOOC平台将取消纸质版的认证证书，仅提供电子版的认证证书服务，证书申请方式和流程不变。

电子版认证证书支持查询验证，可通过扫描证书上的二维码进行有效性查询，或者访问 https://www.icourse163.org/verify，通过证书编号进行查询。学生可在“个人中心-证书-查看证书”页面自行下载、打印电子版认证证书。

完成课程教学内容学习和考核，成绩达到课程考核标准的学生（每门课程的考核标准不同，详见课程内的评分标准），具备申请认证证书资格，可在证书申请开放期间（以申请页面显示的时间为准），完成在线付费申请。

认证证书申请注意事项：

1. 根据国家相关法律法规要求，认证证书申请时要求进行实名认证，请保证所提交的实名认证信息真实完整有效。

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大学物理，大学化学

第一讲 绪论与硅片制备，绪论中除了对微电子工艺进行概述外，还介绍了单晶硅特性；硅片制备包括多晶制备、单晶生长和硅片制备三节内容

绪论：1、 微电子工艺是讲什么的？

2、 微电子工艺的发展历程如何？

3、 微电子工艺有什么特点？

4、半导体单晶硅有什么特性？

第1章 硅片制备

1.1多晶硅制备；1.2单晶生长-CZ法

1.2单晶生长-机理

1.2单晶生长-掺杂

1.2单晶生长-MCZ与FZ法

1.3硅片制备

第一讲 作业

第二讲 外延，包括：外延概述、汽相外延、分子束外延、其它外延、外延层缺陷及检测共五节内容

2.1 外延概述

2.2 汽相外延

2.3 分子束外延

2.4 其它外延方法

2.5 外延层缺陷及检测

第二讲 作业

第三讲 热氧化，包括：SiO2薄膜概述、硅的热氧化、初始氧化阶段及薄氧化层制备等六节内容

3.1 二氧化硅薄膜概述

3.2 硅的热氧化

3.3 初始氧化阶段及薄氧化层制备

3.4 热氧化过程中的杂质再分布

3.5 氧化层的质量及检测

3.6 其它氧化方法

第三讲 作业

第四讲 扩散，包括：扩散机构、晶体中扩散的基本特点及宏观动力学方程、杂质的扩散掺杂等共七节内容

4.1 扩散机构

4.2 晶体中扩散的基本特点及宏观动力学方程

4.3 杂质的扩散掺杂

4.4 热扩散工艺中影响杂质分布的其他因素

4.5 扩散工艺条件与方法

4.6 扩散工艺质量与检测

4.7 扩散工艺的发展

第四讲 作业

第五讲 离子注入，包括：离子注入原理、注入离子在靶中的分布、注入损伤等，共八节内容

5.1 概述

5.2 离子注入原理

5.3 注入离子在靶中的分布

5.4 注入损伤

5.5 退火

5.6 离子注入设备与工艺

5.7 离子注入的其它应用

5.8 离子注入与热扩散比较及掺杂新技术

第五讲 作业

第六讲 化学汽相淀积，包括：CVD概述，CVD工艺原理、方法，二氧化硅薄膜淀积等共七节内容

6.1 CVD概述

6.2 CVD工艺原理

6.3 CVD工艺方法

6.4 二氧化硅薄膜的淀积

6.5 氮化硅薄膜淀积

6.6 多晶硅薄膜的淀积

6.7 CVD金属及金属化合物薄膜

第六讲 作业

第七讲 物理汽相淀积，包括PVD概述、真空系统及真空的获得、真空镀铝等五节内容

7.1 PVD概述

7.2 真空系统及真空的获得

7.3 真空蒸镀

7.4 溅射

7.5 PVD金属及化合物薄膜

第七讲 作业

第八讲 光刻工艺，包括光刻概述，光刻工艺流程以及光刻技术等八节内容

8.2 基本光刻工艺流程

8.3 光刻掩膜板制造技术

8.4 光刻胶

8.5 紫外曝光技术

8.6 光刻增强技术

8.7 其它曝光技术

8.8 光刻新技术展望

8.1 光刻概述

第八讲 作业

第九讲刻蚀技术，包括：概述、湿法刻蚀、干法刻蚀及常用薄膜的刻蚀等共五节内容

9.1 刻蚀技术--概述

9.2 刻蚀技术 -- 湿法刻蚀技术

9.3 刻蚀技术-- 干法刻蚀技术

9.4 SiO2薄膜的干法刻蚀技术

9.5 刻蚀技术-- 多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术

第九讲 作业

第十讲 典型工艺集成，包括金属化、隔离技术，以及CMOS电路、双极型电路工艺

10.1--1 工艺集成--金属化与多层互连

10.1--2 工艺集成--金属化与多层互连--尖楔现象

10.2 工艺集成--集成电路中的隔离技术

10.3 CMOS集成电路的工艺集成

10.4 双极型集成电路的工艺集成

结语 我的中国芯

第十周作业

教材：

王蔚、田丽等主编，集成电路制造技术—原理与工艺（第二版），电子工业出版社，2016

田丽、王蔚等主编 微电子工艺原理与技术，哈尔滨工业大学出版社，2021

参考书：美Stephen A. Campbell著，曾莹等译，微电子制造科学原理与工程技术，电子工业出版社

在绪论中将本课程用到的半导体物理基础知识囊括在：4、半导体单晶硅有什么特性？之中，如已了解相关知识，可忽略这部分内容。